微纳设计制造-苏州硅时代电子科技有限公司
微纳设计制造-苏州硅时代电子科技有限公司 专业微纳加工
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MEMS加工

为成就您的产品，而努力

Work hard to make your product

切割·减薄
  • 研磨/减薄
    Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等；均匀性：±2um
  • 抛光
    Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等；表面粗糙度：1-50nm
  • 激光切割
    Si基MEMS产品，样品厚度：100-700μm， 切割宽度：≤10μm， 样品尺寸：8寸（向下兼容）
  • 刀片切割
    8英寸卡盘，不同材料选用不同刀片Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，电路板
  • 解理机
    GaAs，InP



案例展示


                       

                       PZT                                       电容器（ AI ）                              多层陶瓷电容器                               LED-GaAs









快速退火工艺（一）
快速退火工艺（一）

2023-11-17

快速热退火是用各种热辐照源，直接照射在样品表面上，迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比，有下列优点...

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离子镀膜
离子镀膜

2023-10-16

离子镀是一种在真空环境中，利用高压气体放电将镀料蒸发后离子化，沉积在产品表面形成一层镀膜的工艺。  离子镀工艺出现于上世纪70年代，是一种...

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常规ICP刻蚀的操作流程
常规ICP刻蚀的操作流程

2023-10-13

（一）装片：1，在Pump 界面点击左边Pump 图标下Stop，切换至Vent ，120s 后打开 Loadlock；2，涂抹真空油脂：根据片子尺寸大小，在托盘上涂抹...

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分子束外延的技术难点
分子束外延的技术难点

2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超...

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