公司新闻 - 微纳设计制造-苏州硅时代电子科技有限公司

快速退火工艺（二）
2023-11-17

卤素灯管退火（Halogen Lamp Annealing）是一种用灯管作为热源的退火方式，其特点如下：高温：卤素灯管退火的温度可以达到1300摄氏度以上，可以快...
快速退火工艺（一）
2023-11-17

快速热退火是用各种热辐照源，直接照射在样品表面上，迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火。它与常规热退火相比，有下列优点...
离子镀膜
2023-10-16

离子镀是一种在真空环境中，利用高压气体放电将镀料蒸发后离子化，沉积在产品表面形成一层镀膜的工艺。离子镀工艺出现于上世纪70年代，是一种...
常规ICP刻蚀的操作流程
2023-10-13

（一）装片：1，在Pump 界面点击左边Pump 图标下Stop，切换至Vent ，120s 后打开 Loadlock；2，涂抹真空油脂：根据片子尺寸大小，在托盘上涂抹...
分子束外延的技术难点
2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超...
离子注入的阻滞机制
2023-10-07

当离子轰击进入硅衬底后，与晶格原子碰撞将逐渐失去能量，最后停留在硅衬底内。有两种阻滞机制，一种是注入的离子与晶格原子的原子核发生碰撞，经过这...