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MEMS加工

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光刻

接触式光刻

最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
步进式光刻

投影比例1:5，最小图形尺寸：0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范围<22.5*22.5mm
电子束光刻

最小图形尺寸：10nm，套刻精度：40nm 曝光范围<直径75mm
双面对准光刻

最小图形尺寸：1μm，正面套刻精度：±0.5μm 背面套刻精度：±0.5μm
匀胶/显影

正胶：50nm~20μm，负胶：50~400nm
喷胶

单次厚度<2μm
热板/烘箱

热板温度<180℃，烘箱温度<350℃

案例展示

纳米线@PMMA CD 8nm 二维光栅 with CD 50nm 变直径纳米盘误差±5nm Φ100um 光波导线宽700nm

晶圆切割| 陶瓷管壳封装| sop8封装| 掩膜版

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